格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）宣告新技能，将可为新一代的举动与消费性使用完成三维（3D）晶片堆叠，坐落纽约萨拉托加郡的晶圆八厂已设备一套特别生产工具，可在半导体晶圆上树立矽穿孔（TSV）技能，作业于20奈米技能平台上。

  格罗方德技能长Gregg Bartlett表明，为处理这些新矽节点上的应战，该公司与协作伙伴共同开发封装处理计划，用多元协作的方法，为客户供给最大的挑选与弹性，一起节约本钱、缩短量产时刻，并下降开发新科技的危险。在晶圆八厂内，为20奈米技能导入TSV功用，可结合整个半导体生态系统中的规划至拼装测验公司，树立共同开发与制作的合伙联系。

  TSV功用答应客户将多个晶片笔直堆叠，为未来电子设备的苛刻需求创始新路途。TSV的实质是在矽上以蚀刻方法笔直钻孔，再以铜填满，使笔直堆叠的整合式电路间得以进行通讯。例如，该技能答应电路规划师将记忆体晶片的堆叠放置在使用程式处理器之上，大幅度的进步记忆体频宽及下降耗电量。这也是新一代举动设备，如智慧型手机及平板电脑规划师所面对的最大难题。

  在节点中选用3D整合式电路堆叠，逐步被视为一种代替计划，可用以调整在电晶体上的传统技能节点。但是，引入新的封装技能后，晶片封装的相互作用复杂性也大幅度的进步，代工厂与协作伙伴在供给端对端的处理计划时，也较不易满意多元的规划需求。

  格罗方德新晶圆八厂聚集于32/28奈米及以下制程，而20奈米的技能开发现在正顺顺利利地进行中。第一个选用TSV的全流式矽（Full-FlowSilicon）估计将于本年第三季在晶圆八厂内开端运作。